數位電路設計之數位電路工程師面試集錦
1、同步電路和非同步電路的區別是什麼?(仕蘭微電子)
2、什麼是同步邏輯和非同步邏輯?(漢王筆試)
同步邏輯是時鐘之間有固定的因果關係。非同步邏輯是各時鐘之間沒有固定的因果關係。
3、什麼是"線與"邏輯,要實現它,在硬體特性上有什麼具體要求?(漢王筆試)
線與邏輯是兩個輸出訊號相連可以實現與的功能。在硬體上,要用oc門來實現,由於不用 oc門可能使灌電流過大,而燒壞邏輯閘。 同時在輸出埠應加一個上拉電阻。
4、什麼是Setup 和Holdup時間?(漢王筆試)
5、setup和holdup時間,區別.(南山之橋)
6、解釋setup time和hold time的定義和在時鐘訊號延遲時的變化。(未知)
7、解釋setup和hold time violation,畫圖說明,並說明解決辦法。(威盛VIA
2003.11.06 上海筆試試題)
Setup/hold time 是測試晶片對輸入訊號和時鐘訊號之間的時間要求。建立時間是指觸發 器的時鐘訊號上升沿到來以前,資料穩定不變的時間。輸入訊號應提前時鐘上升沿(如上升沿有效)T時間到達晶片,這個T就是建立時間-Setup time.如不滿足setup time,這個資料就不能被這一時鐘打入觸發器,只有在下一個時鐘上升沿,資料才能被打入觸發器。 保持時間是指觸發器的時鐘訊號上升沿到來以後,資料穩定不變的時間。如果hold time 不夠,資料同樣不能被打入觸發器。
建立時間(Setup Time)和保持時間(Hold time)。建立時間是指在時鐘邊沿前,資料信 號需要保持不變的時間。保持時間是指時鐘跳變邊沿後資料訊號需要保持不變的時間。如果不滿足建立和保持時間的話,那麼DFF將不能正確地取樣到資料,將會出現 metastability的情況。如果資料訊號在時鐘沿觸發前後持續的時間均超過建立和保持時 間,那麼超過量就分別被稱為建立時間裕量和保持時間裕量。
8、說說對數字邏輯中的競爭和冒險的理解,並舉例說明競爭和冒險怎樣消除。(仕蘭微 電子)
9、什麼是競爭與冒險現象?怎樣判斷?如何消除?(漢王筆試)
在組合邏輯中,由於門的輸入訊號通路中經過了不同的延時,導致到達該門的時間不一致叫競爭。產生毛刺叫冒險。如果布林式中有相反的訊號則可能產生競爭和冒險現象。解決方法:一是添加布爾式的消去項,二是在晶片外部加電容。
10、你知道那些常用邏輯電平?TTL與COMS電平可以直接互連嗎?(漢王筆試)
常用邏輯電平:12V,5V,3.3V;TTL和CMOS不可以直接互連,由於TTL是在0.3-3.6V之間,而CMOS則是有在12V的有在5V的。CMOS輸出接到TTL是可以直接互連。TTL接到CMOS需要在輸出埠加一上拉電阻接到5V或者12V。
11、如何解決亞穩態。(飛利浦-大唐筆試)
亞穩態是指觸發器無法在某個規定時間段內達到一個可確認的狀態。當一個觸發器進入亞
穩態時,既無法預測該單元的輸出電平,也無法預測何時輸出才能穩定在某個正確的電平
上。在這個穩定期間,觸發器輸出一些中間級電平,或者可能處於振盪狀態,並且這種無
用的輸出電平可以沿訊號通道上的各個觸發器級聯式傳播下去。
12、IC設計中同步復位與 非同步復位的區別。(南山之橋)
13、MOORE 與 MEELEY狀態機的特徵。(南山之橋)
14、多時域設計中,如何處理訊號跨時域。(南山之橋)
15、給了reg的setup,hold時間,求中間組合邏輯的delay範圍。(飛利浦-大唐筆試)
Delay < period - setup – hold
16、時鐘週期為T,觸發器D1的建立時間最大為T1max,最小為T1min。組合邏輯電路最大延
遲為T2max,最小為T2min。問,觸發器D2的建立時間T3和保持時間應滿足什麼條件。(華
為)
17、給出某個一般時序電路的圖,有Tsetup,Tdelay,Tck->q,還有 clock的delay,寫出決
定最大時鐘的因素,同時給出表示式。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
18、說說靜態、動態時序模擬的優缺點。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
19、一個四級的Mux,其中第二級訊號為關鍵訊號 如何改善timing。(威盛VIA
2003.11.06 上海筆試試題)
20、給出一個門級的圖,又給了各個門的傳輸延時,問關鍵路徑是什麼,還問給出輸入,
使得輸出依賴於關鍵路徑。(未知)
21、邏輯方面數位電路的卡諾圖化簡,時序(同步非同步差異),觸發器有幾種(區別,優
點),全加器等等。(未知)
22、卡諾圖寫出邏輯表達使。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
23、化簡F(A,B,C,D)= m(1,3,4,5,10,11,12,13,14,15)的和。(威盛)
24、please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-
well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the
operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? (威
盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09)
25、To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define
the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?
26、為什麼一個標準的倒相器中P管的寬長比要比N管的寬長比大?(仕蘭微電子)
27、用mos管搭出一個二輸入與非門。(揚智電子筆試)
28、please draw the transistor level schematic of a cmos 2 input AND gate and
explain which input has faster response for output rising edge.(less delay
time)。(威盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09)
29、畫出NOT,NAND,NOR的符號,真值表,還有transistor level的電路。(Infineon筆
試)
30、畫出CMOS的圖,畫出tow-to-one mux gate。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
31、用一個二選一mux和一個inv實現異或。(飛利浦-大唐筆試)
32、畫出Y=A*B+C的cmos電路圖。(科廣試題)
33、用邏輯們和cmos電路實現ab+cd。(飛利浦-大唐筆試)
34、畫出CMOS電路的電晶體級電路圖,實現Y=A*B+C(D+E)。(仕蘭微電子)
35、利用4選1實現F(x,y,z)=xz+yz’。(未知)
36、給一個表示式f=xxxx+xxxx+xxxxx+xxxx用最少數量的與非門實現(實際上就是化
簡)。
37、給出一個簡單的由多個NOT,NAND,NOR組成的原理圖,根據輸入波形畫出各點波形。
(Infineon筆試)
38、為了實現邏輯(A XOR B)OR (C AND D),請選用以下邏輯中的一種,並說明為什
麼?1)INV 2)AND 3)OR 4)NAND 5)NOR 6)XOR 答案:NAND(未知)
39、用與非門等設計全加法器。(華為)
40、給出兩個閘電路讓你分析異同。(華為)
41、用簡單電路實現,當A為輸入時,輸出B波形為…(仕蘭微電子)
42、A,B,C,D,E進行投票,多數服從少數,輸出是F(也就是如果A,B,C,D,E中1的個數比0
多,那麼F輸出為1,否則F為0),用與非門實現,輸入數目沒有限制。(未知)
43、用波形表示D觸發器的功能。(揚智電子筆試)
44、用傳輸門和倒向器搭一個邊沿觸發器。(揚智電子筆試)
45、用邏輯們畫出D觸發器。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
46、畫出DFF的結構圖,用verilog實現之。(威盛)
47、畫出一種CMOS的D鎖存器的電路圖和版圖。(未知)
48、D觸發器和D鎖存器的區別。(新太硬體面試)
49、簡述latch和filp-flop的異同。(未知)
50、LATCH和DFF的概念和區別。(未知)
51、latch與register的區別,為什麼現在多用register.行為級描述中latch如何產生的。
(南山之橋)
52、用D觸發器做個二分顰的電路.又問什麼是狀態圖。(華為)
53、請畫出用D觸發器實現2倍分頻的邏輯電路?(漢王筆試)
54、怎樣用D觸發器、與或非門組成二分頻電路?(東信筆試)
55、How many flip-flop circuits are needed to divide by 16? (Intel) 16分頻?
56、用filp-flop和logic-gate設計一個1位加法器,輸入carryin和current-stage,輸出
carryout和next-stage. (未知)
57、用D觸發器做個4進位制的計數。(華為)
58、實現N位Johnson Counter,N=5。(南山之橋)
59、用你熟悉的設計方式設計一個可預置初值的7進位制迴圈計數器,15進位制的呢?(仕蘭
微電子)
60、數位電路設計當然必問Verilog/VHDL,如設計計數器。(未知)
61、BLOCKING NONBLOCKING 賦值的區別。(南山之橋)
62、寫非同步D觸發器的verilog module。(揚智電子筆試)
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input [7:0] d;
output [7:0] q;
reg [7:0] q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
63、用D觸發器實現2倍分頻的Verilog描述? (漢王筆試)
module divide2( clk , clk_o, reset);
input clk , reset;
output clk_o;
wire in;
reg out ;
always @ ( posedge clk or posedge reset)
if ( reset)
out <= 0;
else
out <= in;
assign in = ~out;
assign clk_o = out;
endmodule
64、可程式設計邏輯器件在現代電子設計中越來越重要,請問:a) 你所知道的可程式設計邏輯器
件有哪些? b) 試用VHDL或VERILOG、ABLE描述8位D觸發器邏輯。(漢王筆試)
PAL,PLD,CPLD,FPGA。
module dff8(clk , reset, d, q);
input clk;
input reset;
input d;
output q;
reg q;
always @ (posedge clk or posedge reset)
if(reset)
q <= 0;
else
q <= d;
endmodule
65、請用HDL描述四位的全加法器、5分頻電路。(仕蘭微電子)
66、用VERILOG或VHDL寫一段程式碼,實現10進位制計數器。(未知)
67、用VERILOG或VHDL寫一段程式碼,實現消除一個glitch。(未知)
68、一個狀態機的題目用verilog實現(不過這個狀態機畫的實在比較差,很容易誤解
的)。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
69、描述一個交通訊號燈的設計。(仕蘭微電子)
70、畫狀態機,接受1,2,5分錢的賣報機,每份報紙5分錢。(揚智電子筆試)
71、設計一個自動售貨機系統,賣soda水的,只能投進三種硬幣,要正確的找回錢
數。 (1)畫出fsm(有限狀態機);(2)用verilog程式設計,語法要符合fpga設計
的要求。(未知)
72、設計一個自動飲料售賣機,飲料10分錢,硬幣有5分和10分兩種,並考慮找零:(1)
畫出fsm(有限狀態機);(2)用verilog程式設計,語法要符合fpga設計的要求;(3)設計
工程中可使用的工具及設計大致過程。(未知)
73、畫出可以檢測10010串的狀態圖,並verilog實現之。(威盛)
74、用FSM實現101101的序列檢測模組。(南山之橋)
a為輸入端,b為輸出端,如果a連續輸入為1101則b輸出為1,否則為0。
例如a: 0001100110110100100110
b: 0000000000100100000000
請畫出state machine;請用RTL描述其state machine。(未知)
75、用verilog/vddl檢測stream中的特定字串(分狀態用狀態機寫)。(飛利浦-大唐
筆試)
76、用verilog/vhdl寫一個fifo控制器(包括空,滿,半滿訊號)。(飛利浦-大唐筆試)
77、現有一使用者需要一種積體電路產品,要求該產品能夠實現如下功能:y=lnx,其中,x
為4位二進位制整數輸入訊號。y為二進位制小數輸出,要求保留兩位小數。電源電壓為3~5v假
設公司接到該專案後,交由你來負責該產品的設計,試討論該產品的設計全程。(仕蘭微
電子)
78、sram,falsh memory,及dram的區別?(新太硬體面試)
79、給出單管DRAM的原理圖(西電版《數位電子技術基礎》作者楊頌華、馮毛官205頁圖9
-14b),問你有什麼辦法提高refresh time,總共有5個問題,記不起來了。(降低溫
度,增大電容儲存容量)(Infineon筆試)
80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out
which nodes can store data and which node is word line control? (威盛筆試題
circuit design-beijing-03.11.09)
81、名詞:sram,ssram,sdram
名詞IRQ,BIOS,USB,VHDL,SDR
IRQ: Interrupt ReQuest
BIOS: Basic Input Output System
USB: Universal Serial Bus
VHDL: VHIC Hardware Description Language
SDR: Single Data Rate
壓控振盪器的英文縮寫(VCO)。
動態隨機儲存器的英文縮寫(DRAM)。
名詞解釋,無聊的外文縮寫罷了,比如PCI、ECC、DDR、interrupt、pipeline、
IRQ,BIOS,USB,VHDL,VLSI VCO(壓控振盪器) RAM (動態隨機儲存器),FIR IIR DFT(離散
傅立葉變換)或者是中文的,比如:a.量化誤差 b.直方圖 c.白平衡 。
IC設計基礎(流程、工藝、版圖、器件)
1、我們公司的產品是積體電路,請描述一下你對積體電路的認識,列舉一些與積體電路
相關的內容(如講清楚模擬、數字、雙極型、CMOS、MCU、RISC、CISC、DSP、ASIC、FPGA
等的概念)。(仕蘭微面試題目)
2、FPGA和ASIC的概念,他們的區別。(未知)
答案:FPGA是可程式設計ASIC。
ASIC:專用積體電路,它是面向專門用途的電路,專門為一個使用者設計和製造的。根據一
個使用者的特定要求,能以低研製成本,短、交貨週期供貨的全定製,半定製積體電路。與
門陣列等其它ASIC(Application Specific IC)相比,它們又具有設計開發週期短、設計
製造成本低、開發工具先進、標準產品無需測試、質量穩定以及可實時線上檢驗等優點
3、什麼叫做OTP片、掩膜片,兩者的區別何在?(仕蘭微面試題目)
4、你知道的積體電路設計的表達方式有哪幾種?(仕蘭微面試題目)
5、描述你對積體電路設計流程的認識。(仕蘭微面試題目)
6、簡述FPGA等可程式設計邏輯器件設計流程。(仕蘭微面試題目)
7、IC設計前端到後端的流程和eda工具。(未知)
8、從RTL synthesis到tape out之間的設計flow,並列出其中各步使用的tool.(未知)
9、Asic的design flow。(威盛VIA 2003.11.06 上海筆試試題)
10、寫出asic前期設計的流程和相應的工具。(威盛)
11、積體電路前段設計流程,寫出相關的工具。(揚智電子筆試)
先介紹下IC開發流程:
1.)程式碼輸入(design input)
用vhdl或者是verilog語言來完成器件的功能描述,生成hdl程式碼
語言輸入工具:SUMMIT VISUALHDL
MENTOR RENIOR
圖形輸入: composer(cadence);
viewlogic (viewdraw)
2.)電路模擬(circuit simulation)
將vhd程式碼進行先前邏輯模擬,驗證功能描述是否正確
數位電路模擬工具:
Verolog: CADENCE Verolig-XL
SYNOPSYS VCS
MENTOR Modle-sim
VHDL : CADENCE NC-vhdl
SYNOPSYS VSS
MENTOR Modle-sim
類比電路模擬工具:
***ANTI HSpice pspice,spectre micro microwave: eesoft : hp
3.)邏輯綜合(synthesis tools)
邏輯綜合工具可以將設計思想vhd程式碼轉化成對應一定工藝手段的門級電路;將初級模擬 中所沒有考慮的門沿(gates delay)反標到生成的門級網表中,返回電路模擬階段進行再 模擬。最終模擬結果生成的網表稱為物理網表。
12、請簡述一下設計後端的整個流程?(仕蘭微面試題目)
13、是否接觸過自動佈局佈線?請說出一兩種工具軟體。自動佈局佈線需要哪些基本元 素?(仕蘭微面試題目)
14、描述你對積體電路工藝的認識。(仕蘭微面試題目)
15、列舉幾種積體電路典型工藝。工藝上常提到0.25,0.18指的是什麼?(仕蘭微面試題 目)
16、請描述一下國內的工藝現狀。(仕蘭微面試題目)
17、半導體工藝中,摻雜有哪幾種方式?(仕蘭微面試題目)
18、描述CMOS電路中閂鎖效應產生的過程及最後的結果?(仕蘭微面試題目)
19、解釋latch-up現象和Antenna effect和其預防措施.(未知)
20、什麼叫Latchup?(科廣試題)
21、什麼叫窄溝效應? (科廣試題)
22、什麼是NMOS、PMOS、CMOS?什麼是增強型、耗盡型?什麼是PNP、NPN?他們有什麼差
別?(仕蘭微面試題目)
23、矽柵COMS工藝中N阱中做的是P管還是N管,N阱的阱電位的連線有什麼要求?(仕蘭微
面試題目)
24、畫出CMOS電晶體的CROSS-OVER圖(應該是縱剖面圖),給出所有可能的傳輸特性和轉
移特性。(Infineon筆試試題)
25、以interver為例,寫出N阱CMOS的process流程,並畫出剖面圖。(科廣試題)
26、Please explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare
the resistance of a metal,poly and diffusion in tranditional CMOS process.(威
盛筆試題circuit design-beijing-03.11.09)
27、說明mos一半工作在什麼區。(凹凸的題目和麵試)
28、畫p-bulk 的nmos截面圖。(凹凸的題目和麵試)
29、寫schematic note(?), 越多越好。(凹凸的題目和麵試)
30、寄生效應在ic設計中怎樣加以克服和利用。(未知)
31、太底層的MOS管物理特***覺一般不大會作為筆試面試題,因為全是微電子物理,公
式推導太羅索,除非面試出題的是個老學究。IC設計的話需要熟悉的軟體: Cadence,
Synopsys, Avant,UNIX當然也要大概會操作。
32、unix 命令cp -r, rm,uname。(揚智電子筆試)