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三星將提高非儲存晶片領域投資:與臺積電高通競爭,計劃到 2030 年投入 1514 億美元

5 月 13 日訊息,據國外媒體報道,在晶片代工方面,雖然三星電子的份額與臺積電相比有不小的差距,但在製程工藝方面,他們是唯一能基本跟上臺積電節奏的廠商,7nm 和 5nm 製程工藝,量產時間都只是略晚於臺積電。

謀求在晶片代工領域有更大作為的三星電子,在 2019 年年底就已計劃在這一領域大力投資,當時外媒在報道中表示,三星電子計劃在未來 10 年投資 1160 億美元,大力發展晶片製造業務,進而為科技巨頭們代工晶片。

而從外媒最新的報道來看,三星電子將提高在晶片代工等非儲存晶片領域的投資。

外媒的報道顯示,三星電子在週四表示,到 2030 年,他們將在非儲存晶片領域投資 171 萬億韓元,摺合約 1514.5 億美元,較此前計劃的 133 萬億韓元有明顯增加。

從外媒的報道來看,三星電子是在一份宣告中,宣佈他們將加大在非儲存晶片領域的投資的。增加投資,是希望在晶片代工方面同臺積電展開競爭,與高通在智慧手機處理器方面展開競爭。增加投資後,他們就將加速在先進晶片製程工藝方面的研發和生產線的建設。