11 月 3 日訊息，昨日，中微公司宣佈，電容耦合高能等離子體（CCP）刻蝕裝置第 1500 個反應臺順利付運國內一家半導體制造商。本次交付的 Primo D-RIE 刻蝕裝置反應臺來自該客戶的重複訂單。

▲ 圖源：中微公司

瞭解到，中微公司表示，Primo D-RIE 刻蝕裝置被晶片製造商用於製造儲存和邏輯器件。為優化產量而設計，Primo D-RIE 可以配置多達三個雙反應臺反應腔，每個反應腔既可以獨立操作，又可以同時加工兩片晶圓。

自 2007 年 Primo D-RIE 釋出以來，中微公司陸續拓展了 CCP 刻蝕裝置產品線。CCP 刻蝕裝置系列還包括雙反應臺刻蝕裝置 Primo AD-RIE、單反應臺刻蝕裝置 Primo SSC AD-RIE、Primo HD-RIE 和刻蝕及除膠一體化的 Primo iDEA。

據介紹，這些產品用於 5 奈米及以下工藝的多種應用。中微公司的刻蝕裝置產品線還包括其他兩款電感耦合低能等離子體（ICP）刻蝕裝置和矽通孔（TSV）刻蝕裝置。