001. 畫出CMOS反相器的電路原理圖。

襯底的連線問題。PMOS襯底接電源，NMOS襯底接地

002. 反相器的速度與哪些因素有關？什麼是轉換時間（transition time）和傳播延遲（propagation delay）？

反相器的速度與哪些因素有關。

（1）  電容（負載電容、自載電容、連線電容）較小，漏端擴散區的面積應儘可能小。輸入電容要考慮： （1）Cgs 隨柵壓而變化（2）密勒效應（3）自舉效應

（2）   加大電晶體的尺寸（驅動能力），使電晶體的等效導通電阻（輸出電阻）較小。但這同時加大自載電容和負載電容（下一級電晶體的輸入電容）。

（3）   提高電源電壓，提高電源電壓可以降低延時，即用功耗換取效能但超過一定程度後改善有限。電壓過高會引起可靠性問題（氧化層擊穿、熱電子等）。

Transition Time（轉換時間）：上升時間：從10%Vdd上升到90%Vdd的時間，下降時間L從90%Vdd下降到10%dd的時間。上升時間和下降時間統稱為Transition Time，也有定義為20%到80%。

Propagation Delay（傳播延時）：在輸入訊號變化到50%Vdd到輸出訊號變化到50%Vdd之間的時間。

結合fpga的時序報告，介紹一下這些引數在工程實際中有啥用處呢

003. 解釋一下Vih，Vil，Vol，Voh，Vt。

Vih：輸入電壓由高到低變化時，輸出電壓開始上升且傳輸特性曲線斜率為-1的點，即圖中B點對應的輸入電壓。（仍能維持輸出為邏輯“1”的最大輸出電壓）

Vil：輸入電壓由低到高變化時，輸出電壓開始下降且傳輸特性曲線斜率為-1的點，即圖中A點對應的輸入電壓。（仍能維持輸出為邏輯“0”的最小輸出電壓）

Voh：定義為最小合格高電平。（維持輸出為邏輯“1”的最大輸出電壓）

Vol：定義為最大合格低電平。（維持輸出為邏輯“0”的最大輸出電壓）

CMOS積體電路內部規定Vol = 0v，Voh = Vdd。

Vt：MOS管的閾值電壓

如果輸入電平是(Vil+Vih)/2，會有什麼問題

輸入電壓（Vil+Vih）/2接近於0.5Vdd，CMOS反相器的閾值電壓也接近於0.5Vdd，這樣輸出不確定會是高電平還是低電平，輸出呈亞穩態！

004.什麼是原碼，反碼，補碼，符號-數值碼。以4bit為例，給出各自表示的數值範圍。

原碼：符號位+真值，最高位表示符號位，以4bit為例。

[+3]原 = 0011

[-3]原 = 1011

表示範圍：-7到+7

原碼中0000和1000都表示0。

反碼：正數的反碼是它本身，負數的反碼將原碼除符號位外逐位取反。以4bit為例。

[+3]原 = [0011]原 = [0011]反

[-3]原 = [1011]原 = [1100]反

表示範圍：-7到+7

反碼中0000和1111都表示0。

補碼：正數的補碼是它本身，負數的補碼將原碼除符號位外逐位取反再加1。以4bit為例。

[+3]原 = [0011]原 = [0011]反 = [0011]補

[-3]原 = [1011]原 = [1100]反 = [1101]補

表示範圍：-8到+7

補碼中0的表示只有一種形式，即0000，1000表示-8。

以上是有符號數，對於無符號數來說都是來表示整數，其原碼、反碼、補碼都是其本身。

更詳細解釋可參考維基百科。

https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%9C%89%E7%AC%A6%E8%99%9F%E6%95%B8%E8%99%95%E7%90%86

005.十進位制轉換為二進位制編碼：

127

-127

127.375

-127.375

十進位制數轉化為R進位制數：整數部分，除R取餘法，除到商為0為止。小數部分，乘R取整法，乘到積為0為止。

127 = 0111_1111

-127 = 1111_1111

127.375 = 0111_1111.011

-127.375 = 1111_1111.011

006.畫出CMOS三態緩衝器的電路原理圖，解釋一下高阻態。

　　很多東西去搜索還是應該直接用英文，用Google或者Bing國際版，百度真是慘不忍睹。

PMOS襯底接Vdd，CMOS襯底解Gnd，以下為簡化，未畫襯底。

圖1，三態非門，當~EN為1時，最上面的PMOS和最下面的NMOS管截止，所以輸出為高阻態，反之輸出為~A，同理可推理出圖2，EN高電平有效輸出。

圖3，三態緩衝門，當~EN為高電平時，最上面的PMOS管截止，輸出為高阻態，反之，輸出為A。圖4一樣。

圖5，CMOS傳輸門，雙向傳輸，當C=0，~C=Vdd，兩個MOS管都截止，輸入和輸出之間呈現高阻態，當C=Vdd，~C=0，如果0 <= Vi <= Vdd – Vt（NMOS）,NMOS管導通，如果|Vt（PMOS）|<= Vi <= Vdd，PMOS管導通，所以Vi在0到Vdd之間，總有一個MOS管導通，實現傳輸門。

圖6，三態非門，在反相器後面加一個傳輸門，當~EN為低電平，傳輸門導通，輸出Y = ~A，反之傳輸門截止，輸出高阻態。如果想要EN高電平有效，交換傳輸門上下端子的反相器即可。

　　高阻態：電路的一種輸出狀態，既不是高電平也不是低電平，如果高阻態再輸入下一級電路的話，對下級電路無任何影響，可以理解為斷路，不被任何東西所驅動，也不驅動任何東西

007.什麼是open-drain output？

　　Open-Drain Output漏極開路輸出，稱為OD門，兩個OD門並聯可以實現線與功能，輸出端外接的上拉電阻提高驅動能力

008.只用2輸入mux，實現與，或，非，異或。2輸入mux定義為o = s ? a : b;

與：out = (a == 1'b0)? 1'b0: ((b == 1'b0)? 1'b0: 1'b1);

改進版：out = (a == 1'b1)? b: 1'b0;

或：out = (a == 1'b1)? 1'b1: ((b == 1'b1)? 1'b1: 1'b0);

改進版：out = (a == 1'b0)? b: 1'b1;

非：out = (a == 1'b1)? 1'b0: 1'b1;

異或：out = (a == 1'b1)? ((b == 1'b1)? 1'b0: 1'b1) : ((b == 1'b0)? 1'b0: 1'b1);

009.相同面積的cmos與非門和或非門哪個更快？

　　 數集學的不夠深刻，需要慢慢體會。

　　電子遷移率是空穴的2.5倍（在矽基CMOS工藝中），運算就是用這些大大小小的MOS管驅動後一級的負載電容，翻轉速度和負載大小一級前級驅動能力相關。為了上升延遲和下降延遲相同，PMOS需要做成NMOS兩倍多大小。

　　載流子的遷移率，對PMOS而言，載流子是空穴；對NMOS而言，載流子是電子。

　　PMOS採用空穴導電，NMOS採用電子導電，由於PMOS的載流子的遷移率比NMOS的遷移率小，所以，同樣尺寸條件下，PMOS的充電時間要大於NMOS的充電時間長，在互補CMOS電路中，與非門是PMOS管並聯，NMOS管串聯，而或非門正好相反，所以，同樣尺寸條件下，與非門的速度快，所以，在互補CMOS電路中，優先選擇與非門。

轉載請註明出處：NingHeChuan（寧河川）

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