8 月 26 日訊息據韓媒 BusinessKorea 報道，三星電子裝置解決方案（DS）業務部首席技術官 Jeong Eun-seung 宣佈，作為下一代代工微製造工藝的核心，全環繞柵極（Gate-All-Around，GAA）技術將盡早實現商業化。

Jeong 在 8 月 25 日線上舉行的三星技術與職業論壇上發表主題演講時說：“我們正在領先於我們的主要競爭對手（臺積電）開發 GAA 技術，如果我們攻克這項技術，我們的代工業務將能夠進一步發展。”該論壇是由三星電子的 DS 業務部建立的，旨在吸引全球工程師。

瞭解到，GAA 被認為是 3 奈米工藝的一個關鍵部分，在不久的將來將被全球頂級代工企業採用。其關鍵是將在半導體內部充當“電流開關”的電晶體的結構從 3D（FinFET）改為 4D（GAA）。據三星電子稱，2019 年其與客戶進行的 3 奈米 GAA 工藝設計套件測試顯示，GAA 技術將芯片面積削減了 45%，並將電源效率提升了 50%。

業內分析人士表示，誰會首先將 GAA 技術商業化還是未知數，這是因為臺積電也在積極地將該技術提前實現商業化。2011 年至 2020 年間，全球 GAA 專利的 31.4% 來自臺積電，三星電子的專利佔 20.6%。

三星電子表示，其在技術方面與臺積電的競爭不相上下，Jeong 說，“三星在 2017 年開始了代工業務，但我們將憑藉在記憶體半導體方面的專有技術超越臺積電，”他舉例說，三星電子比臺積電更早開發了裝載 FinFET 技術的 14MHz 產品。