這個電阻是為了使本來為邏輯反相器的器件工作線上性區, 以獲得增益, 在飽和區是沒有增益的, 而沒有增益是無法振盪的. 如果用晶片中的反相器來作振盪, 必須外接這個電阻, 對於CMOS而言可以是1M以上, 對於TTL則比較複雜, 視不同型別(S,LS...)而定. 如果是晶片指定的晶振引腳, 如在某些微處理器中, 常常可以不加, 因為晶片內部已經制作了, 要仔細閱讀DATA SHEET的有關說明。

晶振旁的電阻（並聯與串聯）

一個晶振電路在其輸出端串接了一個22K的電阻，在其輸出端和輸入端之間接了一個10M的電阻，這是由於連線晶振的晶片端內部是一個線性運算放大器，將輸入進行反向180度輸出，晶振處的負載電容電阻組成的網路提供另外180度的相移，整個環路的相移360度，滿足振盪的相位條件，同時還要求閉環增益大於等於1，晶體才正常工作。

晶振輸入輸出並上電阻作用是產生負反饋，保證放大器工作在高增益的線性區，一般在M歐級，輸出端的電阻與負載電容組成網路，提供180度相移，同時起到限流的作用，防止反向器輸出對晶振過驅動，損壞晶振。

和晶振串聯的電阻常用來預防晶振被過分驅動。晶振過分驅動的後果是將逐漸損耗減少晶振的接觸電鍍，這將引起頻率的上升，並導致晶振的早期失效，又可以講drive level調整用。用來調整drive level和發振餘裕度。

Xin和Xout的內部一般是一個施密特反相器,反相器是不能驅動晶體震盪的.因此,在反相器的兩端並聯一個電阻,由電阻完成將輸出的訊號反向 180度反饋到輸入端形成負反饋,構成負反饋放大電路.。

並聯M級電阻作用：

1.配合IC內部電路組成負反饋，移相，使放大器工作線上性區。

2.降低諧振阻抗，使諧振器易啟動。

3.電阻取值從100k-20M都可以正常起振，但會影響脈寬比。

串聯K級電阻作用：

1.和晶振串聯的電阻常用來預防晶振過驅，限制振盪幅度。

並聯在晶振上的兩顆電容一般取值為20-30pf左右，主要用於微調頻率和波形，並影響幅度。