24N50-ASEMI品質大功率場效電晶體

阿新 • • 發佈：2021-10-26

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24N50-ASEMI品質大功率場效電晶體

型號：24N50

品牌：ASEMI

封裝：TO-247

電流：24A

電壓：500V

正向電壓：

引腳數量：3

晶片個數：

晶片尺寸：

漏電流：

特性：大電流、場效電晶體

工作溫度：-55~+150℃

24N50的電性引數：最大正向平均電流24A；最大反向峰值電壓500V

場效電晶體工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說，ID流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極

-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴充套件的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，並不是電流被切斷。

24N50-ASEMI品質大功率場效電晶體

編輯：ll 24N50-ASEMI品質大功率場效電晶體型號：24N50 品牌：ASEMI 封裝：TO-247 電流：24A

20N20-ASEMI低功耗場效電晶體20N20

編輯-Z 20N20在TO-220F封裝裡引出3個引腳，是一款低功耗場效電晶體。20N20的脈衝二極體正向電流(ISM)為72A，零柵極電壓漏極電流(IDSS)為10uA，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。20N20的柵極閾值電壓(VGS)為±30V

7N80-ASEMI低功耗場效電晶體7A 800V

編輯：ll 7N80-ASEMI低功耗場效電晶體7A 800V 型號：7N80 品牌：ASEMI 封裝：TO-220 電流：7A

20N20-ASEMI低功耗場效電晶體20A 200V

編輯：ll 20N20-ASEMI低功耗場效電晶體20A 200V 型號：20N20 品牌：ASEMI 封裝：TO-220F 正向電流：20A

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15N120-ASEMI場效電晶體15N120

編輯-Z 15N120在TO-220封裝裡引出3個引腳，是一款低功耗場效電晶體。15N120的二極體浪湧正向電流(IFM)為45A，G-E漏電流(IGES)為100nA，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。15N120的柵極-發射極電壓(VGES)為±20V。

使用ASEMI場效電晶體20N20要關注哪些主要引數

編輯-Z 20N20引數描述型號：20N20 封裝：TO-220F 特性：低功耗場效電晶體電性引數：20A 200V

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