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10N65在TO-220F封裝裡的柵極閾值電壓(VGS)為30V，是一款高速大電流MOS管。10N65的浪湧電流Ifsm為40A，零柵極電壓漏極電流(IDSS)為10uA，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。10N65的功耗(PD)是65W，靜態漏源導通電阻(RDS(ON))為0.8Ω。10N65的電性引數是：正向電流(Io)為10A，反向耐壓為650V，反向恢復時間(Trr)為320NS，其中有4條引線。

10N65引數描述

型號：10N65

封裝：TO-220F

特性：高速大電流MOS管

電性引數：10A 650V

柵極閾值電壓(VGS)：30V

正向電流(Io)：10A

功耗(PD)：65W

靜態漏源導通電阻(RDS(ON))

浪湧電流Ifsm：40A

零柵極電壓漏極電流(IDSS)：10uA

反向恢復時間(Trr)：320NS

工作溫度：-55~+150℃

引線數量：3

10N65場效電晶體封裝系列。它的本體長度為15.87mm，加引腳長度為28.8mm，寬度為10.16mm，高度為4.7mm，腳間距為2.54mm。

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