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MP40N120採用的TO-247封裝，是一款溝槽柵場截止型IGBT場效電晶體。MP40N120的脈衝集電極電流(ICM)為60A，最大功耗(PD)為320W，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。MP40N120的開啟延遲時間(td(on))為181NS，關斷延遲時間(td(off))為255NS。MP40N120的電性引數是：漏源電壓(VDSS)為1200V，柵源電壓(VGSS)為±20V，集電極電流(IC)為40A，二極體正向電壓(VSD)為1.9V，二極體反向恢復時間(trr)為55NS，其中有3條引線。

MP40N120引數描述

型號：MP40N120

封裝：TO-247

特性：溝槽柵場截止型IGBT

電性引數：40

漏源電壓(VDSS)：1200V

柵源電壓(VGSS)：±20V

集電極電流(IC)：40A

脈衝集電極電流(ICM)：60A

最大功耗(PD)：320W

開啟延遲時間(td(on))：181NS

關斷延遲時間(td(off))：255NS

二極體正向電壓(VF)：1.9V

工作溫度：-55~+150℃

二極體反向恢復時間(trr)：55NS

引線數量：3

MP40N120場效應封裝系列。它的本體長度為21.2mm，加引腳長度為41.6mm，寬度為16.0mm，高度為5.2mm，腳間距為5.65mm。

以上就是關於MP40N120-ASEMI場效電晶體MP40N120的詳細介紹。強元芯電子是一家集科研開發、製造、銷售為一體的國家高新技術企業。

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