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使用ASEMI場效電晶體20N20要關注哪些主要引數

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20N20引數描述

型號:20N20

封裝:TO-220F

特性:低功耗場效電晶體

電性引數:20A 200V

連續二極體正向電流(IS)20A

脈衝二極體正向電流(ISM)72A

漏源電壓(VDSS)200V

柵極閾值電壓(VGS):±30V

靜態漏源導通電阻(RDS(on))0.18Ω

二極體正向壓降(VSD)1.5V

零柵極電壓漏極電流(IDSS)10uA

反向恢復時間(trr)158NS

工作溫度:-55~+150

引線數量:3

20N20極限引數

①最大漏極電流:是指20N20正常工作時允許的漏極電流上限。

②最大耗散功率:是指管內的功率,受管的最高工作溫度限制。

③最大漏源電壓:是指雪崩擊穿,漏極電流開始急劇上升時出現的電壓。

④最大柵源電壓:是指柵源間反向電流開始急劇增加時的電壓值。

除上述引數外,還有極間電容、高頻引數等其他引數。

漏極和源極擊穿電壓:當漏極電流急劇上升時,發生雪崩擊穿期間的UDS

柵極擊穿電壓:結型場效電晶體正常工作時,柵極和源極之間的PN結處於反向偏置狀態,如果電流太大,就會發生擊穿。

使用20N20時關注的主要引數有:

1IDSS—飽和漏源電流。指結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中柵極電壓UGS=0時的漏源電流。

2UP—夾斷電壓。是指在結型或耗盡型絕緣柵場效電晶體中漏源剛好截止時的柵極電壓。

3UT—開啟電壓。它是指增強型絕緣柵場效電晶體中漏源剛導通時的柵極電壓。

4gM—跨導。它代表柵源電壓

UGS—對控制漏極電流ID的能力,即漏極電流ID的變化與柵源電壓UGS的變化之比。gM是衡量場效電晶體放大能力的重要引數。

5BUDS—漏源擊穿電壓。它是指在柵源電壓UGS不變的情況下,20N20正常工作所能承受的最大漏源電壓。這是一個極限引數,施加在20N20上的工作電壓必須小於BUDS

6PDSM—最大耗散功率。它也是一個極限引數,是指20N20效能不變壞時允許的最大漏源功率耗散。使用時,20N20的實際功耗應小於PDSM,並留有一定的餘量。

7IDSM—最大漏源電流。它是一個極限引數,指的是場效電晶體20N20正常工作時,允許在漏源極之間通過的最大電流,場效電晶體的工作電流不應超過IDSM