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35P03採用的TO-252封裝，是一款MOSFET場效電晶體。35P03的漏極電流脈衝(IDM)為-80A，最大功耗(PD)為53W，其工作時耐溫度範圍為-55~150攝氏度。35P03的開啟延遲時間(td(on))為15NS，關斷延遲時間(td(off))為44NS。35P03的電性引數是：漏源電壓(VDSS)為-30V，柵源電壓(VGSS)為±20V，漏極連續電流(ID)為-35A，二極體正向電壓(VSD)為-1.2V，其中有3條引線。

35P03引數描述

型號：ASE35P03

封裝：TO-252

特性：MOSFET場效電晶體

電性引數：35A 30V

漏源電壓(VDSS)：-30V

柵源電壓(VGSS)

漏極連續電流(ID)：-35A

漏極電流脈衝(IDM)：-80A

最大功耗(PD)：53W

開啟延遲時間(td(on))：15NS

關斷延遲時間(td(off))：44NS

二極體正向電壓(VSD)：-1.2V

工作溫度：-55~+150℃

引線數量：3

35P03場效應封裝系列。它的本體長度為6.1mm，加引腳長度為10.1mm，寬度為6.6mm，高度為2.3mm，腳厚度為0.5mm。

以上就是關於ASE35P03-ASEMI場效電晶體35P03的詳細介紹。強元芯電子是一家集科研開發、製造、銷售為一體的國家高新技術企業。12年專注於整流橋、電源IC、及肖特基、快恢復二極體、汽車電子的研發與生產，致力於半導體行業，專注電源領域。

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