集微網訊息 3 月 25 日，南大光電在投資者互動平臺就投資者關於“193nm 光刻膠專案第二條生產線是否建設完畢，是否進行投產，如還未完工預計何時完工”等問詢作出迴應稱，公司已建成兩條 ArF 光刻膠生產線，合計產能 25 噸。

此外，就寧波芯港小鎮南大三期專案建設進度，南大光電迴應稱該工廠已經建成。

據瞭解，南大光電多年來專注於關鍵半導體材料的技術研發，憑藉多年的自主研發和實踐積累，掌握了 MO 源、高純 ALD / CVD 前驅體、氫類電子特氣、含氟電子特氣、ArF 光刻膠等關鍵電子材料的核心技術，先後承擔了國家 863 計劃 MO 源全系列產品產業化專案及多項國家“02 專項”專案，攻克了多個技術難題。半導體材料的研發，需要高階技術人才及行業專家的引領和驅動。本次激勵計劃授予價格有利於公司吸引、留住更多優秀人才，持續激發企業創新創效的內生長加速度，全面塑造人才引領產業、產業匯聚人才的企業生態文化。

在 MO 源方面，公司除了在 MO 源 2.0 研發方面取得進展外，在高純、低矽低氧三甲基鋁方面加大研發力度，也取得了關鍵性的進展，為 MO 源業務從 LED 向 IC、新能源行業的升級轉型奠定基礎。前驅體方面，除了有客制產品的研發和產業化外，還要將去年從杜邦集團買入的矽前驅體專利進行研發和產業化，目前進展順利。

在電子特氣方面，最新升級的超高純砷烷產品品質在下游客戶的測試中已超過目前國際先進同行的技術水平，超高純磷烷產品進入國際一流製程的晶片企業，標誌著公司氫類電子特氣已躍居世界前列。混氣方面的研發進展也比較好，正在積極應對新能源產業和半導體行業升級需求。