6 月 1 日訊息，江蘇南大光電材料股份有限公司釋出公告稱，寧波南大光電材料有限公司（以下簡稱“寧波南大光電”）自主研發的 ArF 光刻膠產品繼 2020 年 12 月在一家儲存晶片製造企業的 50nm 快閃記憶體平臺上通過認證後，近日又在邏輯晶片製造企業 55nm 技術節點的產品上取得了認證突破。

據悉本次認證系選擇客戶 55nm 技術節點邏輯晶片產品的工藝進行驗證，寧波南大光電研發的 ArF 光刻膠的測試良率結果符合要求，表明其具備 55nm 平臺後段金屬佈線層的工藝要求。

ArF 光刻膠材料是積體電路製造領域的重要關鍵材料，可以用於 90nm-14nm甚至 7nm 技術節點的積體電路製造工藝。廣泛應用於高階晶片製造（如邏輯晶片、儲存晶片、AI晶片、5G晶片和雲端計算晶片等）。ArF 光刻膠的市場前景好於預期。隨著國內 IC 行業的快速發展，自主創新和國產化步伐的加快，以及先進製程工藝的應用，將大大拉動光刻膠的用量。