12 月 6 日訊息，據中國臺灣經濟日報報道，臺積電衝刺 3nm 製程，目前已進入試產階段。在三星 3nm 要搶先臺積電，於明年上半年量產之際，業界傳出臺積電正加快 3nm 量產腳步，有望至少提前一季度至明年第二季度量產。

臺積電不評論 3nm 製程相關市場傳聞。業界人士指出，臺積電與三星在先進製程與海外佈局方面競爭激烈，三星目前在美國新廠投資規模暫時領先，意在 3nm 量產日程方面超過臺積電，訊息稱高通、AMD 等臺積電重量級客戶都有意匯入三星 3nm 製程。

業界人士透露，臺積電面對三星的追趕，正積極加快 3nm 量產腳步，若能提前量產 3nm，預計第一批客戶將有包括聯發科、英偉達等大廠。聯發科執行長蔡明介日前表示，與臺積電合作緊密，5nm 及 4nm 產品已在量產過程中，3nm 會是下一個製程。

瞭解到，臺積電與三星在 3nm 架構方面完全不同，臺積電沿用既有的 FinFET 架構，三星則採用全新的 GAA 架構。

臺積電原本規劃，3nm 製程今年內風險性試產，預計明年下半開始量產，3nm 製程家族的 N3E 製程將於 3nm 量產之後的一年量產，3nm 家族將是另一項具大規模且長期需求的製程技術。